原位紅外電化學(xué)ATR系統(tǒng)

原位紅外電化學(xué)ATR可以獲得電極表面吸附物種的取向、排列、覆蓋等狀態(tài)信息，是從分子水平研究電極過程的一種有效手段，其中衰減全反射模式的表面增強(qiáng)光譜，由于表面選律簡單、表面信號強(qiáng)、傳質(zhì)容易以及受本體溶液干擾小的優(yōu)，特別適合實時檢測電極表面動態(tài)過程。該原位反應(yīng)系統(tǒng)引入了三電極和氣體接口，可以在施加外偏壓的條件下，向溶液中通入CO2、N2等反應(yīng)氣體，實現(xiàn)光（電）催化原位紅外光譜表征。在此基礎(chǔ)上，通過在單晶硅表面蒸鍍（或濺射等）金層，引入表面等離子共振波，實現(xiàn)表面增強(qiáng)效應(yīng)，增強(qiáng)該原位表征的信號。

產(chǎn)品參數(shù)：

1、30~80度連續(xù)可調(diào)，以保證不同電催化劑處于最大光通量狀態(tài)；

2、反應(yīng)池密封性能好，可通入反應(yīng)氣體；

3、Si/ZnSe/Ge/ZnS等多種晶體可選，容易拆卸；

4、PTFE和石英池身,耐化學(xué)腐蝕；

5、5 口設(shè)計，滿足各種應(yīng)用需求。

上表中的晶體適用PH值為常規(guī)環(huán)境，如實驗中加光（電）等條件后需到貨后逐步測試獲取準(zhǔn)備適用范圍。

具體實驗前請檢查晶體與實驗體系是否發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，如發(fā)生反應(yīng)會造成晶體被腐蝕導(dǎo)致晶體損壞，嚴(yán)禁此條件下使用。